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ES29BDS160FB-12TG 参数 Datasheet PDF下载

ES29BDS160FB-12TG图片预览
型号: ES29BDS160FB-12TG
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内容描述: 16兆( 2M ×8 / 1M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 54 页 / 708 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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E S I  
E S I  
Excel Semiconductor inc.  
DC CHARACTERISTICS  
Zero-Power Flash  
25  
Icc1 (Active Read current)  
20  
Icc5 (Automatic Sleep Mode)  
15  
10  
5
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
3500  
4000  
Time in ns  
Note: Addresses are switching at 1 MHz  
Figure 12. Icc1 Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)  
12  
3.6V  
2.7V  
10  
8
6
4
2
0
1
3
2
4
5
Note: T = 25oC  
Frequency in MHz  
Figure 13. Typical Icc1 vs. Frequency  
31  
Rev. 1C Jan 5 , 2006  
ES29LV160D  
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