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    ES29LV400ET-90RTGI 参数 Datasheet PDF下载

    ES29LV400ET-90RTGI图片预览
    型号： ES29LV400ET-90RTGI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 为4Mbit （ 512Kx 8 / 256K ×16 ）的CMOS 3.0伏只，引导扇区闪存 [4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 51 页 / 679 K
    品牌： EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
     浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第31页浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第32页浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第33页浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第34页浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第36页浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第37页浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第38页浏览型号ES29LV400ET-90RTGI的Datasheet PDF文件第39页  
    E S I  
    E S I  
    Excel Semiconductor inc.  
    AC CHARACTERISTICS  
    tRC  
    Address  
    VA  
    VA  
    tACC  
    VA  
    tCE  
    CE#  
    OE#  
    tCH  
    tOE  
    tOEH  
    tDF  
    WE#  
    tOH  
    HIGH-Z  
    DQ7  
    Complement  
    Complement  
    Status Data  
    True  
    Valid Data  
    HIGH-Z  
    DQ0-DQ6  
    Status Data  
    True  
    Valid Data  
    tBUSY  
    RY/BY#  
    NOTE : VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle  
    Figure 22. Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)  
    35  
    Rev.0B January 5, 2006  
    ES29LV400E  

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