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ES29DS800E-90RTG 参数 Datasheet PDF下载

ES29DS800E-90RTG图片预览
型号: ES29DS800E-90RTG
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内容描述: 的8Mbit ( 1M ×8 / 512K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 50 页 / 680 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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E S I  
E S I  
Excel Semiconductor inc.  
Table 15. AC CHARACTERISTICS  
Parameter  
Description  
Value  
Unit  
ns  
tOE  
tVIDR  
tWPP1  
tWPP2  
tOESP  
tCSP  
Output Enable to Output Delay  
Voltage Transition Time  
Max  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
30/35/50  
500  
150  
15  
4
ns  
Write Pulse Width for Protection Operation  
Write Pulse Width for Unprotection Operation  
OE# Setup Time to WE# Active  
CE# Setup Time to WE# Active  
Voltage transition time  
us  
ms  
us  
4
us  
tVLHT  
tST  
1
us  
Voltage Setup Time  
4
us  
A<18:12>  
SAy  
SAx  
A<0>  
A
<1>  
<6>  
A
tVIDR  
VID  
tVIDR  
A<9>  
tST  
VID  
OE#  
WE#  
tOESP  
tWPP1  
tVLHT  
tST  
tOE  
tCSP  
CE#  
DQ  
0x01  
RESET#  
Vcc  
Figure 28. Sector Protection timings (A9 High-Voltage Method)  
42  
Rev. 1D January 5, 2006  
ES29LV800D  
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