Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FB20R06XE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 20 A, V†Š = 300 V
2,0
10
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ™ : IGBT
1
i:
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,182 0,374 0,949 0,845
0,0005 0,005 0,05 0,2
τÍ[s]:
0,1
0,001
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 18 Â, TÝÎ = 150°C
44
40
36
32
28
24
20
16
12
40
36
32
28
24
20
16
12
8
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
8
I†, Modul
I†, Chip
4
4
0
0
0
200
400
V†Š [V]
600
800
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VΠ[V]
prepared by: Daniel Kreuzer
approved by: Marc Buschkühle
date of publication: 2007-2-2
revision: 2.0
6
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
