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    EM6AA160TSA-4G 参数 Datasheet PDF下载

    EM6AA160TSA-4G图片预览
    型号： EM6AA160TSA-4G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16M ×16位DDR同步DRAM （ SDRAM ） [16M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 54 页 / 431 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM6AA160TSA-4G的Datasheet PDF文件第13页  
    EtronTech
    扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
    EM6AA160TSA
    扩展模式寄存器设置存储数据用于启用或禁用的DLL ，并选择输出驱动
    强度。扩展模式寄存器的缺省值是未定义的，因此必须被写入功率后
    了正常运行。扩展模式寄存器写的是断言低
    CS
    ,
    RAS
    ,
    CAS
    和
    WE
    .
    的A0〜 A12， BA0和BA1的状态被写入到模式寄存器中相同的周期
    CS
    ,
    RAS
    ,
    CAS
    和
    WE
    变低。 （该设备应具备所有银行闲置，没有突发的进展之前，写入模式
    注册和CKE应该是高） 。 A1用于驱动强度设置为正常，或弱。两个时钟周期
    需要填写在扩展模式寄存器的写操作。的模式寄存器的内容可以是
    利用工作期间相同的命令和时钟周期的要求，只要所有银行都在改变
    空闲状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 "High"上BA0用于EMRS 。请参考表
    具体的代码。
    表11.扩展模式寄存器的位图
    BA1 BA0 A12 A11 A10
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    A3
    A2
    A1
    A0
    地址栏
    0
    1
    RFU必须设置为“0”的
    DS0 DLL扩展模式寄存器
    BA0
    0
    1
    模式
    太太
    EMRS
    A1
    0
    1
    驱动强度
    正常
    弱
    A0
    0
    1
    DLL
    启用
    关闭
    钰创机密
    9
    修订版1.2
    2009年5月

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