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EM6AA160TSA-4G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM6AA160TSA-4G
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内容描述: 16M ×16位DDR同步DRAM ( SDRAM ) [16M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 54 页 / 431 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
表15.直流特性
( VDD = 2.5V
±
5%, T
A
= 0~70
°C)
参数&测试条件
工作电流:
一家银行;主动预充电;
t
RC
=t
RC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ; DQ , DM和DQS输入
每个时钟周期改变一次;地址和控制输入
改变每两个时钟周期。
工作电流:
一家银行;主动 - 读 -
预充电; BL = 4;吨
RC
=t
RC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;糊涂人= 0毫安;
地址和控制输入,每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流:
所有
银行闲置;掉电模式;吨
CK
=t
CK
(分钟) ; CKE =低
IDLE STANDLY CURRENT :
CKE =高;
CS
= HIGH (取消选择) ;所有银行闲置;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;
地址和控制输入,每个时钟周期改变一次;
V
IN
=V
REF
针对DQ , DQS和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流:
一家银行
活跃;掉电模式; CKE =低;吨
CK
=t
CK
(分钟)
主动待机电流:
CS
= HIGH ; CKE =高;一
银行主动;吨
RC
=t
RC
(最大值) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ,地址和控制
输入每个时钟周期改变一次; DQ , DQS ,和DM
输入每个时钟周期改变的两倍
工作电流突发读:
BL = 2;上面写到
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;
糊涂人= 0毫安; 50%的数据变化对每一个转移
工作电流突发写:
BL = 2;写操作;
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;
DQ , DQS和DM每个时钟周期改变的两倍; 50%的
数据的变化对每一个转移
自动刷新电流:
t
RC
=t
RFC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟)
自刷新电流:
卖刷新模式; CKE
0.2V;t
CK
=t
CK
(分钟)
BURST工作电流4银行操作:
四大行交错读和写; BL = 4 ;具有自动预充电;
t
RC
=t
RC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;地址和控制inputschang
仅在活动,阅读或写命令
符号
EM6AA160TSA
-4
马克斯。
-5
单位注
IDD0
150
115
mA
IDD1
IDD2P
175
40
135
40
mA
mA
IDD2N
70
70
mA
IDD3P
60
45
mA
IDD3N
135
105
mA
IDD4R
245
190
mA
IDD4W
245
190
mA
IDD5
IDD6
200
6
155
6
mA
mA
1
IDD7
300
235
mA
钰创机密
11
修订版1.2
2009年5月