EtronTech
引脚说明
符号
CK ， CK ＃
TYPE
输入
8Mx32 DDR SDRAM
EM6AA320-XXMS
表1. EM6AA320的引脚的详细信息
描述
差分时钟：
CK，CK ＃ ，由系统时钟驱动。所有的SDRAM输入
命令被采样CK的上升沿。既CK和CK ＃递增
内部突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。如果CKE
变为低电平同步于时钟，内部时钟从下一个暂停
时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE
仍然很低。当所有银行都处于空闲状态时，去活的时钟控制
进入掉电和自刷新模式。
银行选择：
BA0和BA1定义了该银行的BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。他们还定义哪些模式寄存器或
一个模式寄存器设置命令在扩展模式寄存器加载。
地址输入：
A0 - A11是银行激活命令（行内采样
地址A0- A11）和读/写命令（列地址A0 〜A7和A9与A8的
定义自动预充电）选择一个位置在所述存储器阵列的
各银行。在一个预充电命令，A8进行采样，以确定是否所有
银行将被预充电（ A8 =高） 。地址输入也提供了选购
在一个模式寄存器设置或扩展模式寄存器设置命令代码。
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的
命令解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS ＃
提供了在与多家银行系统外的银行选择。它被认为是
的命令代码的一部分。
行地址选通：
在RAS ＃信号定义的操作命令
与CAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正面边缘
CK 。当RAS ＃和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是断言"HIGH"任
在BankActivate命令或预充电命令被选中的WE＃
信号。当WE＃为有效"HIGH ， "的BankActivate命令被选中
和由BS指定的银行接通时为有效状态。当WE＃为
置"LOW ， "的预充电命令被选择和存储体指定由BS
在预充电操作之后被切换到空闲状态。
列地址选通：
在CAS ＃信号定义的操作命令
与RAS ＃结合和WE＃信号，并且被锁存时的正边缘
CK 。当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言"LOW"列访问
通过断言CAS＃ "LOW"然后启动，读取或写入命令被选中
WE＃置"HIGH "或“ LOW" 。
写使能：
WE＃信号限定与配合操作命令
在RAS ＃和CAS ＃信号和锁存在CK的上升沿。在WE ＃
输入用于选择BankActivate或预充电命令和读取或写入
命令。
双向数据选通：
该DQSx信号被映射到以下数据
字节： DQS0到DQ0 - DQ7 ， DQS1到DQ8 - DQ15 ， DQS2到DQ16 - DQ23 ， DQS3到
DQ24-DQ31.
数据输入掩码：
DM0 - DM3是特定字节。当DM是输入数据被屏蔽
在写周期采样为高。 DM3口罩DQ31 - DQ24 ， DM2口罩DQ23-
DQ16 ， DM1口罩DQ15 - DQ8和DM0口罩DQ7 - DQ0 。
数据I / O ：
的DQ0 - DQ31输入和输出数据与正同步
CK和CK ＃的边缘。在I / O是字节屏蔽期间，写操作。
电源：
电源输入缓冲器和核心逻辑
.
CKE
输入
BA0 ， BA1
输入
A0-A11
输入
CS ＃
输入
RAS ＃
输入
CAS ＃
输入
WE＃
输入
DQS0-DQS3
输入/
产量
输入
DM0 - DM3
DQ0 - DQ31
V
DD
输入/
产量
供应
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REV 0.7
五月。 2006年
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
