EtronTech
直流特性
(V
DD
=2.5
±
5%, T
A
= 0~70
°C)
8Mx32 DDR SDRAM
EM6AA320-XXMS
3.6
4
最大
350
5
6
参数&测试条件
工作电流：
一家银行;主动预充电;
t
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DM和DQS输入
每个时钟周期改变一次;地址和控制
输入改变每隔2个时钟周期。
工作电流：
一家银行;主动 - 读 -
预充电; BL = 4; CL = 4; tRCDRD = 4 * T
CK
; t
RC
=t
RC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（分钟） ;糊涂人= 0毫安;地址和控制输入
每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流：
所有银行闲置;掉电模式;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
CKE =低
IDLE STANDLY CURRENT ：
CKE =高;
CS ＃ = HIGH （取消选择） ;所有银行闲置;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
地址和控制输入每个时钟改变一次
周期; V
IN
=V
REF
针对DQ ， DQS和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：
一
银行主动;掉电模式; CKE =低;
t
CK
=t
CK
（分钟）
主动待机电流：
CS ＃ =高; CKE =高;一家银行主动;
t
RC
=t
RC
（最大值） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ，地址和控制输入
每个时钟周期改变一次; DQ ， DQS ，和DM输入
每个时钟周期的两倍变化
工作电流突发读：
BL = 2;上面写到
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
糊涂人= 0毫安; 50％的数据变化对每一个转移
工作电流突发写：
BL=2;
写操作;可连拍;一家银行主动;地址
和控制输入变化的每时钟周期一次;
t
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DQS和DM两次改变每个时钟
周期;数据的变化对每一个转移的50 ％
自动刷新电流：
t
RC
=t
RFC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（分钟）
自刷新电流：
卖刷新模式;
CKE<=0.2V;t
CK
=t
CK
（分钟）
BURST工作电流4银行操作：
四大行交错读和写; BL = 4 ;具有自动
预充电;吨
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;地址
只有在主动，读取或写入控制inputschang
命令
符号
3.3
单位
IDD0
500
460
310
280
mA
IDD1
600
540
480
440
400
mA
IDD2P
120
120
100
80
80
mA
IDD2N
210
200
175
170
170
mA
IDD3P
120
120
100
80
80
mA
IDD3N
300
280
260
240
240
mA
IDD4R
640
610
580
550
520
mA
IDD4W
550
525
500
480
460
mA
IDD5
IDD6
750
8
720
8
650
5
610
5
580
5
mA
mA
IDD7
1100 1050 1000 950
900
mA
注意：
1.压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。
2.所有电压参考V
SS
.
3.这些参数取决于循环率，并且这些值都是由循环速率测量
下吨的最小值
CK
和T
RC
。输入信号吨期间一次改变
CK
.
4.电顺序在前面的页中描述。
9
REV 0.7
五月。 2006年
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
