EtronTech
钰创机密
特点
快速时钟速率： 133分之166兆赫
差分时钟CK &
CK
双向DQS
四个内部银行8M ×16位的每家银行
边沿对齐的读数据，集中在写入数据
可编程的模式和扩展模式寄存器
-
CAS
延迟：2或3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8 ， 16或
- 突发类型：顺序&交错
- PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自
刷新）
- DS （驱动力）
•
单个字节写入屏蔽控制
•
DM写入延迟= 0
•
预充电待机电流= 300
µA
•
自刷新电流= 700
µA
•
深度掉电电流= 10
µA
最大。在85
℃
•
自动刷新和自刷新
•
8192刷新周期/ 64ms的
•
没有的DLL （延迟锁定环） ，以减少功率; CK到
DQS是不同步的。
•
电源： V
DD
＆放大器; V
DDQ
= +1.8V+0.15V/-0.1V
•
接口： LVCMOS
•
环境温度T
A
= -25 ~ 85
℃
,
•
60球采用8mm x 10毫米VFBGA封装
- 无铅和无卤素
•
•
•
•
•
•
EM68B16DVAA
高级（ 1.0版三月/ 2009）
表1.订购信息
产品型号
EM68B16DVAA-6H
EM68B16DVAA-75H
时钟
频率
166MHz
133MHz
数据速率
IDD6套餐
32M ×16的移动DDR同步DRAM （ SDRAM ）
333Mbps /销700
µA
VFBGA
266Mbps /销700
µA
VFBGA
VA ：表示VFBGA封装
答：指代码
H：表示Pb和卤素的VFBGA封装
图1.球分配（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
VSS
VDDQ
.
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CKE
A9
A6
VSS
2
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK
A11
A7
A4
3
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
NC
CK
A12
A8
A5
…
7
VDDQ
DQ1
.
DQ3
DQ5
DQ7
NC
WE
CS
A10/AP
A2
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
CAS
BA0
A0
A3
9
VDD
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
RAS
BA1
A1
VDD
概观
该EM68B16D是536870912位双数据
速率同步DRAM被划分为4银行
8388608字由16位。同步
操作与数据选通允许非常高
性能。 EM68B16D被施加以减少
同时实现非常泄漏电流刷新
高速。 I / O事务是可能的两个
在时钟的边缘。经营的范围
频率，可编程的突发长度和
可编程延迟允许该设备是
适用于各种高性能内存有用
系统的应用程序。
钰创科技有限公司
6号，科技路。五，新竹科学园区，台湾新竹30078 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
