EtronTech
EM68916CWQA
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EMR(2)
扩展模式寄存器（ 2）控制刷新的相关功能。扩展模式的默认值
寄存器（2）没有被定义，因此，在扩展模式寄存器（ 2）必须被写入电后为
正确的操作。扩展模式寄存器（ 2 ）写的断言低电平CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ，
高上BA1和低导通BA0 ，同时控制地址引脚A0 〜 A12的状态。在DDR2 SDRAM
应在所有银行预充电与CKE已经写入扩展模式寄存器（ 2 ）前高。
该模式寄存器设定指令周期时间（t
MRD
）必须满足以完成写操作的
扩展模式寄存器（ 2）。模式寄存器的内容可以使用相同的命令和时钟被改变
正常操作，只要所有的银行在预充电状态期间的周期的要求。
表7.扩展模式电阻EMR （ 2 ）位图
BA1 BA0 A12 A11 A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0地址字段
1
0
0
*1
SRF
0*1
DCC*4
PASR
*3
扩展模式寄存器（ 2 ）
A7
0
1
BA1 BA0 MRS模式
0
0
MR
0
1
EMR(1)
1
0
EMR(2)
1
1
EMR(3)
高温自刷新率启用
关闭
*2
启用
A3
0
1
DCC启用
关闭
启用
*4
A2 A1 A0
部分阵列自刷新4银行
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
全阵列
1
半阵列（ BA [1： 0] = 00&01 ）
0
季阵列（ BA [1： 0] = 00）
1
没有定义
0
3/4阵列（ BA [ 1：0] = 01,10&11 ）
1
半阵列（ BA [1： 0] = 10&11 ）
0
季阵列（ BA [1： 0] = 11）
1
没有定义
注1 ：
其余位EMRS （2）被保留以供将来使用，并且在EMRS所有位（2 ），所不同的A0 -A2 ，A7， BA0和BA1
在初始化过程中设置扩展模式寄存器（ 2）时，必须设定为0 。
注2 ：
由于迁移性质，用户需要确保DRAM部分支持高于85 ℃温度上限温度
自刷新条目。如果支持的高温自刷新模式，则控制器可设定EMRS2 [ A7 ]位
使自刷新速率的情况下高于85 ℃的温度自刷新操作的。
注3 ：
如果PASR （部分阵列自刷新）被启用，位于所述阵列的超出指定位置区域数据
如果自刷新进入将会丢失。数据完整性将维持若T
REF
条件得到满足，也没有自刷新
命令被发出。
注4 ：
DCC （占空比校正器）实现的，可以给予用户DCC的可控通EMR （ 2 ） [ A3 ]位。
钰创机密
11
修订版1.1
2009年4月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
