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扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
EM68916CWQA
-
EMR(1)
扩展模式寄存器（ 1 ）存储数据，用于启用或禁用该DLL ，输出驱动强度，
ODT值选择和附加延迟。扩展模式寄存器的缺省值没有被定义，
因此，在扩展模式寄存器，必须在加电后进行适当的操作来写入。扩展
模式寄存器写的是在CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE ＃和高点BA0主张低，同时控制
地址引脚A0 〜 A12的状态。在DDR2 SDRAM应在所有银行预充电与CKE已
HIGH之前写入的扩展模式寄存器。该模式寄存器设定指令周期时间（t
MRD
)
必须满足以完成写入操作，以扩展模式寄存器。模式寄存器的内容
正常操作，只要在使用相同的命令和时钟周期的要求是可以改变的
因为所有的银行都是在预充电状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 A1用于用于使半
强度数据输出驱动器。 A3 〜 A5确定的附加延迟，A2和A6的用于ODT值
选择， A7 〜 A9用于OCD控制， A10用于DQS ＃禁用。
-
DLL使能/禁用
该DLL必须启用正常运行。 DLL使在上电时初始化是必需的，并且
时具有禁用该DLL之后返回到正常操作。 DLL被自动禁用时
在进入自刷新操作，并自动重新启动时的自刷新操作退出。任何时候，
DLL是启用（随后复位） ，前一个Read命令可以200个时钟周期必须发生
发出，以便有时间的内部时钟与外部时钟同步。不能等待
同步发生可能导致违反吨的
AC
或T
DQSCK
参数。
表6.扩展模式电阻EMR （ 1 ）位图
BA1 BA0 A12 A11 A10
0
1
QOFF
0
DQS ＃
A9
A8
A7
A6
RTT
A5
A4
A3
A2
A1
A0地址字段
OCD计划
附加延迟
RTT D.I.C DLL
扩展模式寄存器
BA1 BA0 MRS模式
0
0
MR
0
1
EMR(1)
1
0
EMR(2)
1
A9
0
0
0
1
1
1
A8
0
0
1
0
1
EMR(3)
A7
0
1
0
0
1
A6
0
0
1
1
A2
0
1
0
1
RTT
（标称）
ODT禁用
75
Ω
150
Ω
50
Ω
A0
0
1
DLL使能
启用
关闭
OCD校准程序
OCD校准模式退出;维持设定
A1
0
1
A5 A4 A3
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
Drive(1)
Drive(0)
调整模式
*1
OCD校准默认
*2
A12
0
1
QOFF
输出缓冲区启用
输出缓冲器被禁止
*3
输出驱动器
阻抗控制
充满力量
强度降低
附加延迟
0
1
2
3
4
5
版权所有
版权所有
A10
0
1
DQS ＃
启用
关闭
注1 ：
当发出调整模式，亚拉巴马从先前设置的值必须被应用。
注2 ：
设置为默认设置后， OCD校准模式需要通过设置A9 ， A7为000退出。
注3 ：
输出禁用 - 的DQ ， DQSS ， DQSS ＃ 。这个功能的目的是在我使用
DD
读表征
电流。
钰创机密
10
修订版1.1
2009年4月
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