EtronTech
概观
4M ×32 LPSDRAM
EM669325
该EM669325 SDRAM是一个包含128兆比特的高速CMOS同步DRAM 。这是
在内部配置为四1M ×32的DRAM与同步接口（所有的信号都登记在
时钟信号CLK ）的上升沿。每1M ×32位的银行的组织结构由256行4096
列由32位。读取和写入访问到SDRAM是突发式;存取开始以选定
位置和持续的编程序列位置的设定的号码。访问开始
有BankActivate命令，然后接着是读或写命令的登记。
的EM669325提供了可编程的读或写的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用
突发终止选项。一种自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。刷新功能，自动或自刷新容易
以使用。
通过具有可编程的模式寄存器，系统可以选择最适合的模式，以最大化
它的性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用程序。
框图
COLUMN
行解码器
解码器
4096 X 256 X 32
电池阵列
（BANK ＃0）
SENSE
扩音器
CL ķ
CLO CK
卜FF器
CO NT· ř OL
S IG N A升
GE N ER一个T或
SENSE
行解码器
CKE
CS ＃
RA S ＃
CA中＃
WE＃
扩音器
CO M M钕
解码器
模式
- [R E G IS T E ř
4096X 256 X 32
电池阵列
（ BANK ＃ 1 ）
COLUMN
解码器
CO卢MN
COUN TER
A 1 0 / A P
COLUMN
行解码器
解码器
A0
A9
A10
A11
BA0
BA1
地址
卜FF器
4096 X 256 X 32
电池阵列
（BANK 2 ）
SENSE
扩音器
刷新
COUN TER
SENSE
DQ
卜FF器
DQ 0
ð Q31
行解码器
扩音器
4096 X 256 X 32
电池阵列
（ BANK ＃ 3 ）
COLUMN
解码器
初步
│
ð Q M 0〜 3
2
修订版0.6
2003年9月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
