EtronTech
T0
T1
T2
CL ķ
命令
读了
NOP
NOP
4M ×32 LPSDRAM
T3
T4
T5
T6
EM669325
T7
T8
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
突发读操作（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
所读取的数据出现在的DQ受上DQM的值输入两个时钟更早
（即DQM延迟两个时钟输出缓冲）。爆没有自动预充电功能的读
可以通过后续的读或中断写命令在同一银行或其他活动
突发长度结束前的银行。它可以由一个BankPrecharge / PrechargeAll被中断
命令相同的银行了。中断从读命令来可以发生在任何
时钟周期以前的读命令（参见下图） 。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
命令
读了
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
阅读打断读（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
在DQM投入使用，以避免对DQ引脚I / O争用时，中断来自
一个写命令。该DQMs必须置（高）至少前两个时钟写
命令压制数据输出到DQ引脚。为了保证DQ引脚对I / O争用，
与DQ管脚的高阻抗单周期必须在最后一次读取数据和之间发生
写命令（参见下面的三个数字） 。如果发生在读出的脉冲串的数据输出
突发写入的第二时钟，所述DQMs必须被置位（高电平）的至少一个时钟前的
写命令，以避免内部总线争用。
初步
7
修订版0.6
2003年9月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
