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引脚说明
符号
CK ， / CK
TYPE
输入
4Mx16 DDR SDRAM
EM658160
表1. EM658160的引脚的详细信息
描述
差分时钟：
CK， / CK由系统时钟驱动。所有SDRAM的输入信号
采样于CK的上升沿。无论CK和/ CK增量内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。如果CKE
变为低电平同步于时钟，内部时钟从下一个时钟暂停
周期和输出的状态，并爆裂地址只要被冻结为所述CKE遗体
低。当所有银行都处于空闲状态时，去激活所述时钟控制输入到
掉电和自刷新模式。
银行选择：
BS0与BS1确定哪个银行BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。
地址输入：
A0 - A11是在BankActivate指令周期内采样（行
地址A0 - A11）和读/写命令（列地址A0- A10 A7with定义
自动预充电） 。
片选：
/ CS允许（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的
命令解码器。当/ CS被采样到高的所有命令被屏蔽。 / CS
提供了在与多家银行系统外的银行选择。它被认为是
的命令代码的一部分。
行地址选通：
在/ RAS信号限定在所述操作命令
与/ CAS和/ WE信号，并且一起被锁在CK的上升沿。
当/ RAS和/ CS断言"LOW"和/ CAS断言"HIGH ， "要么
BankActivate命令或预充电命令被选中的/ WE信号。
当/ WE被断言"HIGH ， "的BankActivate命令被选择，并且
由BS指定的银行接通时为有效状态。当/ WE被断言
"LOW ， "的预充电命令被选中，由BS指定的银行
在预充电操作之后，切换到空闲状态。
列地址选通：
在/ CAS信号限定在所述操作命令
与/ RAS和/ WE信号，并且一起被锁在CK的上升沿。
当/ RAS保持"HIGH"和/ CS置位"LOW ， "列存取开始
通过置/ CAS "LOW."然后，读或写命令被选中断言
/ WE "HIGH "或LOW"."
写使能：
/ WE信号限定与配合操作命令
在/ RAS和/ CAS信号，并且被锁存在CK的上升沿。在/ WE输入
用于选择BankActivate或预充电命令和读取或写入
命令。
双向数据选通：
指定计时的输入和输出数据。读数据
频闪是边沿触发。写数据选通提供了一个建立时间和保持时间的数据
和DQM 。 LDQS是DQ0 〜 7 ， UDQS是DQ8 〜 15 。
数据输入掩码：
当DM是写在高采样输入数据被屏蔽
周期。 LDM口罩DQ0 - DQ7 ， UDM口罩DQ8 - DQ15 。
数据I / O ：
的DQ0 - DQ15输入和输出数据与正同步
CK和/ CK边缘。在I / O是字节屏蔽期间，写操作。
CKE
输入
BS0 ， BS1
A0-A11
输入
输入
/ CS
输入
/ RAS
输入
/ CAS
输入
/ WE
输入
LDQS ，
UDQS
LDM ，
UDM
DQ0 - DQ15
输入/
产量
输入
输入/
产量
钰创机密
3
修订版1.1
2002年1月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
