ETR onTech
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容（ CK引脚）
DQ ， DQS ， DM电容
4Mx16 DDR SDRAM
EM658160
单位
pF
pF
pF
电容（ V
DD
= 3.3V ， F = 1MHz时， TA = 25
°C)
分钟。
2.5
2.5
4
马克斯。
5
4
6.5
输入电容（除CK引脚）
注：这些参数是周期性采样，不100 ％测试。
建议的直流工作条件（V
DD
= 3.3V
±
0.3 ，TA = 0 〜 70
°C)
马克斯。
参数
工作电流
（一银行活动）
工作电流
（一银行活动）
预充加电
向下待机电流
IDEL待机电流
主动掉电
待机电流
主动待机
当前
工作电流
（READ ）
工作电流
（写）
自动刷新当前
符号
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2N
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
t
RC
=分钟，T
CK
=分钟
主动预充电
突发= 2 ，T
RC
=分钟， CL = 3
I
OUT
= 0毫安，有源读预充电
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=分钟，
所有银行闲置
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS ＃
≥
V
IH
（ MIN）
t
CK
=分钟
所有银行ACT ， CKE
≤
V
IL
（最大） ，
t
CK
=分钟
一家银行;主动预充电，
t
RC
= t
RAS （
最大值），叔
CK
=分钟
爆= 2， CL = 3 ，叔
CK
=分钟，
I
OUT
= 0毫安
爆= 2， CL = 3 ，叔
CK
=分钟
t
RC （
分）
- 3.3/3.5/4/5/6/7/8
单位
250/240/230/220/190/180/160
320/300/260/250/220/210/200
80/80/80/65/65/60/55
170/160/150/130/110/100/90
80/80/80/65/65/60/55
180/170/160/155/145/140/135
330/310/270/250/220/200/180
330/310/270/250/220/200/180
190/180/170/155/145/140/135
mA
自刷新电流
I
DD6
CKE
≤
0.2v
2
钰创机密
9
修订版1.1
2002年1月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
