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EM636327R-10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM636327R-10
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内容描述: 512K ×32高速同步图形DRAM ( SGRAM ) [512K x 32 High Speed Synchronous Graphics DRAM(SGRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 1387 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
53
DSF
EM636327
输入
定义特殊功能:
该DSF信号定义操作命令
与RAS #和CAS #和WE #信号,并一起被锁在
CLK的上升沿。该DSF输入用来选择被屏蔽的写入
启用/禁用命令和块写命令,并在特殊模式
寄存器组循环。
23 , 56 , 24 , DQM0 - 输入
数据输入/输出面膜:
DQM0 - DQM3是特定字节,非持久的I / O
57
DQM3
缓冲控制。在I / O缓冲区被放置在一个高阻抗状态,当DQM是
采样为高。当DQM是在一个高采样输入数据被屏蔽
写周期。输出数据被屏蔽(双时钟延迟)时, DQM采样
在一个读周期为高电平。 DQM3口罩DQ31 - DQ24 , DQM2口罩DQ23-
DQ16 , DQM1口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。
97 ,98 ,100, DQ0-输入/
数据I / O :
该DQ0-31的输入和输出数据与同步
CLK的1,图3 ,图4, 6,7, DQ31输出正边缘。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
60, 61, 63,
DQS的也作为列/字节掩码输入过程中块写操作。
64, 68, 69,
71, 72, 9,
10, 12, 13,
17, 18, 20,
21, 74, 75,
77, 78, 80,
81, 83, 84
36-45, 52,
58, 86-95
2, 8, 14, 22,
59, 67, 73,
79
5, 11, 19,
62, 70, 76,
82, 99
15, 35, 65,
96
16, 46, 66,
85
NC
V
DDQ
-
无连接:
这些引脚悬空。
供应
DQ功率:
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
V
SSQ
供应
DQ地:
提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。
V
DD
V
SS
供应
电源:
+3.3V±0.3V
供应
初步
4
十二月
1998