EtronTech
T0
CLK
银行，
柱A
T1
T2
T3
T4
T5
T6
地址
BANK （S ）
EM636327
T7
T8
银行，
ROW
t
RP
COM米，
读了
NOP
NOP
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
阅读到预充电
（ CAS＃延迟= 1，2， 3）
6
阅读和AutoPrecharge命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， DSF = "L" ， BS =银行， A9 = "H" ， A0 - A7 =列地址）
读取和AutoPrecharge命令后，自动进行预充电操作
读出操作。一旦指令下达后，任何后续命令可以在一个不会出现
对【T时间延迟
RP
（分钟） +突发长度} 。在整页突发，在仅执行读取操作
这个命令和自动预充电功能被忽略。
写命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， DSF = "L" ， BS =银行， A9 = "L" ， A0 - A7 =列地址）
写命令用于从活动写了一阵连续的时钟周期数据
排在一个活跃的银行。银行必须至少激活吨
RCD
（分钟）的写命令前，
发行。在写连发，第一个有效数据的元素将被注册暗合了写
命令。随后的数据元素将在每个连续的时钟上升沿注册
（参见下图） 。 DQS的保持高阻抗突发除非结束
另一个命令被启动。突发长度和突发序列是由模式决定
寄存器，它已经设定。一个全页突发将持续到结束（在年底
该页面就会换到第0列，并继续） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
7
COM命令
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ0 - DQ3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
不关心
所述第一数据元和所述写
被登记在同一个时钟边缘。
额外的数据被屏蔽。
突发写操作
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
通过BankActivate &蒙面已打开进行到行任何写写使能
命令是蒙面写（写每比特） 。数据是在所选择的写入到32个单元（位）的
列位置受存储在掩码寄存器中的数据。整个面具包括了
DQM输入，掩模上的每个字节的基础上，和掩码寄存器，它掩蔽还对每个位
的基础。这示于下面的框图。
初步
9
十二月
1998
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
