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EM636165TS/VE-55 参数 Datasheet PDF下载

EM636165TS/VE-55图片预览
型号: EM636165TS/VE-55
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内容描述: 1Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 75 页 / 789 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
COMMANDS
1
1M ×16 SDRAM
EM636165
BankPrecharge命令
( RAS # = "L" , CAS# = "H" , WE# = "L" , A11 =
“V”,
A10 = "L" , A0 -A9 =无关)
该BankPrecharge命令通过预充电A11信号disignated银行。预充电
银行从激活状态转换到空闲状态。此命令可以在任何时间之后断言
t
RAS
(分钟)是从银行所需的BankActivate命令满意。的最大时间的任何
银行可以为t指定的活动
RAS
(最大) 。因此,在预充电功能,必须执行
在T内的任何有效的银行
RAS
(最大) 。在预充电结束时,预充电的银行仍处于空闲
状态,并准备再次被激活。
PrechargeAll命令
( RAS # = "L" , CAS# = "H" , WE# = "L" , A11 =无关, A10 = "H" , A0 -A9 =无关)
该PrechargeAll命令预充电两家银行同时即使能发出
两家银行都没有处于活跃状态。两个银行然后切换到空闲状态。
读命令
( RAS # = "H" , CAS# = "L" , WE# = "H" , A11 =
“V”,
A9 = "L" , A0 - A7 =列地址)
读命令用于从活动突发读取在连续时钟周期的数据
排在一个活跃的银行。银行必须至少激活吨
RCD
(分钟)的读取命令之前
发行。在读阵阵,从起始列地址的有效数据输出的元素会
可用以下的读命令发出后的CAS #延迟。每个后续的数据 -
出元件将是有效的下一个时钟上升沿(参见下图) 。 DQS的去
成高阻抗在脉冲串的末端,除非其它命令被启动。脉冲串长度,
脉冲串序列,和CAS #延迟是由模式寄存器,这是已经确定的
编程。一个全页突发将持续到结束(在页面就会换到年底
第0列,并继续) 。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
2
3
CLK
COM命令
读了
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS #延迟= 1
TCK1 , DQ的
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
CAS#延迟= 3
tCK3 , DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
突发读取操作
(突发长度= 4 ,CAS#延迟= 1,2, 3)
初步
7
第2.7版2006年3月