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EM636165TS/VE-55 参数 Datasheet PDF下载

EM636165TS/VE-55图片预览
型号: EM636165TS/VE-55
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内容描述: 1Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 75 页 / 789 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
1M ×16 SDRAM
EM636165
读命令的中断写突发不带自动预充电功能应该是
后,其中的最后的数据中元素被登记在时钟边沿发出一个周期。为了
避免数据争用,输入数据必须从之前的DQ中的至少一个时钟周期的除去
先读出的数据显示在输出(参见下图) 。一旦读命令是
注册时,数据输入将被忽略,并且写操作不被执行。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COM命令
NOP
写一个
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS #延迟= 1
TCK1 , DQ的
CAS #延迟= 2
TCK2 , DQ的
CAS#延迟= 3
tCK3 , DQ的
DIN A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
输入数据的写入被屏蔽。
输入数据必须从DQ的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端,以避免
数据争用。
写了一个读取中断
(突发长度= 4 ,CAS#延迟= 1,2, 3)
该BankPrecharge / PrechargeAll命令中断写突发而不汽车
应发出预充电功能
m
在时钟沿之后的周期中的最后一个数据项元素
被登记,其中
m
等于吨
WR
/t
CK
向上舍入到下一个整数。此外,该
LDQM / UDQM信号必须被用于掩盖输入数据,从时钟边沿以下的
最后一个数据项的元素和与该时钟边沿结束其上BankPrecharge / PrechargeAll
输入命令(参见下图) 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
DQM
激进党
COM命令
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
地址
银行
COL ñ
DIN
n
DIN
n+1
BANK (S )
tWR的
ROW
DQ
:无所谓
注意:
该LDQM / UDQM可以保持低在本例中,如果的写入脉冲串的长度是1或2 。
写入预充电
初步
11
第2.7版2006年3月