EtronTech
4
1M ×16 SDRAM
EM636165-XXI
阅读和AutoPrecharge命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "H" ， A11 =
“V”,
A10 = "H" ， A0 - A7 =列地址）
读取和AutoPrecharge命令后，自动进行预充电操作
读出操作。一旦指令下达后，任何后续命令可以在一个不会出现
对【T时间延迟
RP
（分钟） +突发长度} 。在整页突发，在仅执行读取操作
这个命令和自动预充电功能被忽略。
写命令
（ RAS ＃ = "H" ， CAS＃ = "L" ， WE＃ = "L" ， A11 =
“V”,
A10 = "L" ， A0 - A7 =列地址）
写命令用于从活动写了一阵连续的时钟周期数据
排在一个活跃的银行。银行必须至少激活吨
RCD
（分钟）的写命令前，
发行。在写连发，第一个有效数据的元素将被注册暗合了写
命令。随后的数据元素将在每个连续的时钟上升沿注册
（参见下图） 。 DQS的保持高阻抗突发除非结束
另一个命令被启动。突发长度和突发序列是由模式决定
寄存器，它已经设定。一个全页突发将持续到结束（在年底
该页面就会换到第0列，并继续） 。
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
5
CLK
COM命令
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ0 - DQ3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
不关心
所述第一数据元和所述写
被登记在同一个时钟边缘。
额外的数据被屏蔽。
突发写操作
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
没有自动预充电功能的写突发可以通过后续的写入被中断，
BankPrecharge / PrechargeAll ，或突发长度结束前读命令。中断
从写命令来可以按照以前的写命令出现在任何时钟周期
（参见下图） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
COMM和
NOP
写一个
写B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
1间隔的Clk
DQ 'S
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
DIN B3
写是写中断
（突发长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
初步
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修订版1.1
2005年4月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
