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EM636165TS-10I/10IG 参数 Datasheet PDF下载

EM636165TS-10I/10IG图片预览
型号: EM636165TS-10I/10IG
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内容描述: 1Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的 [1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 73 页 / 756 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
1M ×16 SDRAM
EM636165-XXI
寻址模式选择场( A3 )
寻址模式可以是两种模式,交织模式或连续模式。
顺序模式支持的1,2, 4,8,或整页的突发长度,但只交织模式
支持的4和8突发长度。
A3
0
1
寻址模式
顺序
交错
---寻址的连续序列模式
内部列地址由来自列增加的地址进行
地址被输入到设备中。内部列地址由突发变化
如示于下表中的长度。当列地址的值,第(n +米) ,在
该表是大于255 ,只有至少显著8位是有效的。
数据N
列地址
0
n
1
n+1
2
n+2
3
n+3
4
n+4
5
n+5
6
n+6
7
n+7
-
-
255
n+255
256
n
257
n+1
-
-
2个字:
突发长度
4个字:
8个字:
全页:列地址被重复,直到终止。
---的交错模式寻址过程
列访问开始于输入列地址,并且通过反转进行
地址位的下表中所示的序列中。
数据N
数据0
数据1
数据2
数据3
数据4
资料5
数据6
数据7
A7
A7
A7
A7
A7
A7
A7
A7
A6
A6
A6
A6
A6
A6
A6
A6
A5
A5
A5
A5
A5
A5
A5
A5
列地址
A4
A4
A4
A4
A4
A4
A4
A4
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A2
A2
A2
A2
A1
A1
A0
A0#
4个字
8个字
突发长度
A1# A0
A1# A0#
A0
A0#
A2# A1
A2# A1
A2# A1# A0
A2# A1# A0#
CAS #延迟场( A6 〜 A4)
该字段指定从读命令到断言时钟周期的数目
第一读出的数据。对CAS#延迟的最小整数值取决于频率
的CLK 。的最小整数值满足下式必须编程
进入这个领域。
t
CAC
(分钟)
CAS#延迟x深
CK
A6
0
0
0
0
1
A5
0
0
1
1
X
A4
0
1
0
1
X
CAS #延迟
版权所有
1时钟
2个时钟
3个时钟
版权所有
初步
13
修订版1.1
2005年4月