EtronTech
特点
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快速存取时间： 5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
快速时钟速率： 166/143/125/100 MHz的
自刷新模式：标准模式和低功耗
内部流水线结构
512K字×16位×2银行
可编程模式寄存器
- CAS＃延迟： 1，2，或3个
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
通过LDQM和UDQM控制单个字节
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
CKE断电模式
+ 3.3V单
±
0.3V电源
接口： LVTTL
50引脚400密耳的塑料TSOP II封装
无铅封装提供
EM636165-XXI
初步（修订版1.1 ， 04/2005 ）
1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的
引脚配置（顶视图）
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
DDQ
LDQM
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
CS ＃
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
VSS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
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关键的特定连接的阳离子
EM636165
t
CK3
t
RAS
t
AC3
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
行有效时间（最大）
存取时间从CLK （最大）
行周期时间（min 。 ）
-6I/7I/8I/10I
6/7/8/10ns
36/42/48/60 NS
5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
54/63/72/90 NS
订购信息
工业工作温度： -40〜 85°C
产品型号
EM636165TS-6I/6IG
EM636165TS-7I/7IG
EM636165TS-8I/8IG
频率
166MHz
143MHz
125MHz
包
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
EM636165TS-10I/10IG
100MHz
G：表示无铅封装
概观
该EM636165 SDRAM是一种含有16兆比特的高速CMOS同步DRAM 。它在内部配置
作为双512K字×16的DRAM与同步接口（所有信号上注册的上升沿
时钟信号CLK ） 。每一个512K ×16位的银行组织的2048行，256列16位。阅读和
写访问的SDRAM是突发式;存取开始在一个选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。访问开始用BankActivate命令注册
，然后接着是读或写命令。
的EM636165提供了可编程的读或写的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用一个脉冲串
终止选项。自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电，在被启动，它将
色同步信号序列的末端。刷新功能，自动或自刷新易于使用。由具有
可编程的模式寄存器，系统可以选择最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。这些
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