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EM566169BC-70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM566169BC-70
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内容描述: 1M ×16的SRAM伪 [1M x 16 Pseudo SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 130 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
交流特性和操作条件
(大= -25 ° C至85°C , VCC = 2.7V至3.3V )
符号
参数
读周期
TRC
TAA
tCO1
tCO2
TOE
TBA
TLZ
TOLZ
tBLZ
太赫兹
tOHZ
tBHZ
TOH
TPM
TPC
TPA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能( CE1 # )访问时间
芯片使能( CE2 )访问时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
芯片使能低到输出中低收入
Z
输出使能低到输出的
低Z
数据字节控制低产出
低Z
芯片使能高到输出的
高-Z
输出使能高到输出的
高-Z
数据字节控制高到输出
在高阻
输出数据保持时间
正常阅读网页周期时间
页面周期时间
页面模式地址访问时间
写周期
TWC
TWP
TAW
TCW
TBW
TAS
tWR的
tWHZ
拖车
TDW
TDH
写周期时间
把脉冲宽度
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址设置TTIME
写恢复时间
WE#低到输出的高阻
WE#高到输出中低Z
写入数据重叠
数据保持时间
5
30
0
60
45
50
50
50
0
0
20
5
30
0
65
50
55
55
55
0
0
20
70
50
60
60
60
0
0
5
30
0
10
60
18
18
15000
10
5
10
20
20
20
10
65
20
20
15000
60
15000
60
60
60
45
60
10
5
10
25
25
25
65
15000
65
65
65
45
65
70
10
5
10
10
70
25
-60
最大
-65
最大
EM566169BC
-70
最大
-85
最大
单位
15000
70
70
70
45
70
25
25
25
15000
85
10
5
10
10
85
30
15000 NS
85
85
85
45
85
35
35
35
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15000 NS
ns
ns
25
20
85
60
70
70
70
0
0
5
35
0
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
修订版0.6
2004年4月