EM566169BC-70 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM566169BC-70
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内容描述：	1M ×16的SRAM伪 [1M x 16 Pseudo SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	15 页 / 130 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

DC特性

符号

ILI

参数

输入漏

当前

输出漏

当前

测试条件

VIN = VSS至VCC

VIO = VSS至VCC

CE1 ＃ = VIH ， CE2 = VIL或

OE ＃ = VIH或WE ＃ = VIL

周期时间=最小， 100 ％的关税，为70ns / 85ns

工作电流

I = 0毫安， CE1 ＃ = VIL ， CE2 =

@闵循环时间IO

VIH ， VIN = VIH或VIL

60ns/65ns

CE1 ＃ = VCC - 0.2V和

CE2 = VCC - 0.2V ，

其他输入= VSS 〜 VCC

ISBD

VOL

VOH

深度掉电

（ 0MB刷新）

输出低

电压

输出高

电压

CE1#

≤

0.2V和CE2

≤

0.2V ，其他输入=

VSS VCC 〜

IOL = 2.1毫安

IOH = -1.0mA

EM566169BC

分钟。

-1

马克斯。

单位

µA

国际劳工组织

-1

µA

−

ICC1

ISB1

待机电流

（ CMOS）的

−

100

µA

−

2.4

0.4

−

µA

电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）

参数

输入电容

输出电容

符号

CIN

COUT

民

−

典型值

−

最大

单位

测试条件

VIN = GND

VOUT = GND

注意事项：

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

修订版0.6

2004年4月

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