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EM658160TS-6 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM658160TS-6
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内容描述: 4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 26 页 / 158 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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Et r on Tech  
EM658160  
4Mx16 DDR SDRAM  
Absolute Maximum Rating  
Symbol  
Item  
Rating  
Unit  
V
Note  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
TOPR  
Input, Output Voltage  
Power Supply Voltage  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
- 0.3~ VDD + 0.3  
1
1
1
1
1
1
1
- 0.3~3.6  
0~70  
- 55~150  
260  
V
°C  
°C  
°C  
W
TSTG  
TSOLDER  
PD  
Soldering Temperature (10s)  
Power Dissipation  
1
IOUT  
Short Circuit Output Current  
50  
mA  
Recommended D.C. Operating Conditions (Ta = 0 ~ 70 °C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Note  
Power Supply Voltage  
VDD  
3.0  
3.6  
V
V
V
V
V
V
V
Power Supply Voltage (for I/O Buffer)  
Input Reference Voltage  
Termination Voltage  
VDDQ  
2.3  
2.7  
VREF  
1.15  
1.35  
VTT  
V
- 0.04  
V
+ 0.04  
REF  
REF  
Input High Voltage (DC)  
Input Low Voltage (DC)  
VIH (DC)  
VIL (DC)  
VIN (DC)  
V
+ 0.18  
V
+ 0.3  
REF  
DDQ  
-0.3  
V
0.18  
REF  
Input Voltage Level, CLK and CLK#  
inputs  
-0.3  
V
+ 0.3  
DDQ  
Input Different Voltage, CLK and CLK#  
inputs  
VID (DC)  
-0.36  
V
DDQ +  
0.6  
V
Input leakage current  
Output leakage current  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
II  
-5  
-5  
5
5
-
µA  
µA  
V
IOZ  
VOH  
VOL  
VTT + 0.76  
I
= -15.2 mA  
= +15.2 mA  
OH  
VTT 0.76  
V
I
OL  
Etron Confidential  
8
Rev. 1.1  
Jan. 2002  
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