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EM638325TS-10/-10G 参数 Datasheet PDF下载

EM638325TS-10/-10G图片预览
型号: EM638325TS-10/-10G
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内容描述: 2M ×32同步DRAM ( SDRAM ) [2M x 32 Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 72 页 / 761 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech  
EM638325  
2Mega x 32 SDRAM  
Absolute Maximum Rating  
Leaded Package Lead Free Package  
Unit Note  
Symbol  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
TOPR  
Item  
Input, Output Voltage  
Power Supply Voltage  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Soldering Temperature (10s)  
Power Dissipation  
-1~4.6  
- 1~4.6  
0~70  
V
V
1
1
1
1
1
1
1
°C  
°C  
°C  
W
TSTG  
- 55~150  
TSOLDER  
PD  
240  
260  
1
IOUT  
Short Circuit Output Current  
50  
mA  
Recommended D.C. Operating Conditions (Ta = 0~70°C)  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Min.  
3.0  
Typ.  
3.3  
3.3  
Max.  
Unit  
V
Note  
Power Supply Voltage  
3.6  
3.6  
2
2
2
VDDQ  
VIH  
Power Supply Voltage(for I/O Buffer)  
LVTTL Input High Voltage  
3.0  
V
2.0  
VDDQ + 0.3  
V
VIL  
LVTTL Input Low Voltage  
- 0.3  
0.8  
V
2
Capacitance (VDD = 3.3V, f = 1MHz, Ta = 25°C)  
Symbol  
CI  
Parameter  
Input Capacitance  
Input/Output Capacitance  
Min.  
Max.  
4.5  
Unit  
pF  
CI/O  
6.5  
pF  
Note: These parameters are periodically sampled and are not 100%  
Preliminary  
16  
Rev 1.4  
Oct. 2005