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EM584161BC-70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM584161BC-70
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内容描述: 256K ×16低功耗SRAM [256K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 250 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
Data Retention Characteristics (Ta = -40°C to 85°C)
Symbol
Data Retention Supply
Voltage
Parameter
CE1#
V
DD
- 0.2V, CE2
0.2V,
VIN
V
DD
- 0.2V or VIN
0.2V
VDD = 0.9V, CE1#
V
DD
- 0.2V,
CE2
0.2V, VIN
V
DD
- 0.2V or
VIN
0.2V
Min
EM584161
Typ
Max
Unit
VDR
0.9
1.95
V
IDR
tSDR
tRDR
Data Retention Current
0
tRC
4.0
µA
ns
ns
Chip Deselect to Data Retention Mode Time
Recovery Time
CE1# Controlled Data Retention Mode
t SDR
V DD
1.65V
Data Retention Mode
t RDR
1.4V
V DR
CE1#,
LB#/UB#
GND
Note 1
CE2 Controlled Data Retention Mode
V DD
1.6 5V
CE2
t SDR
t RD R
Data Reten tion Mode
VD R
0.4 V
GND
Note 2
Note:
1. CE1#
V
DD
– 0.2V or UB# = LB#
V
DD
– 0.2V
2. CE2
0.2V
11
Rev 2.0
Nov. 2003