欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM565161BA-70E 参数 Datasheet PDF下载

EM565161BA-70E图片预览
型号: EM565161BA-70E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512K ×16的低功耗SRAM [512K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 792 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
 浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM565161BA-70E的Datasheet PDF文件第13页  
Etr onTech
Data Retention Characteristics (Ta = -40°C to 85°C)
Symbol
Parameter
CE1#
V
DD
– 0.2V
VDR
Data Retention Supply
Voltage
or UB# = LB#
V
DD
– 0.2V
or CE2
0.2V,
VIN
V
DD
– 0.2V or VIN
0.2V
tSDR
tRDR
Chip Deselect to Data Retention Mode Time
Recovery Time
0
tRC
1.0
Min
EM565161
Typ
Max
Unit
3.6
V
ns
ns
CE1# or UB#/LB# Controlled Data Retention Mode
tS D R
VDD
2 .7 V
D a ta R e te n tio n M o d e
tR D R
2 .2 V
VDR
CE1#,
U B # /L B #
GND
N o te 1
CE2 Controlled Data Retention Mode
VDD
2.7 V
CE2
tSDR
tRD R
Data Reten tion M ode
VDR
Note 2
0.4 V
GND
Note:
1. CE1#
V
DD
– 0.2V or UB# = LB#
V
DD
– 0.2V
2. CE2
0.2V
Preliminary
11
Rev 0.9
Jan 2002