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MUN5311W 参数 Datasheet PDF下载

MUN5311W图片预览
型号: MUN5311W
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内容描述: 双偏置电阻晶体管 [Dual Bias Resistor Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 662 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MUN5311DW1T1
系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明,常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
(PNP)中省略)
(续)
特征
基本特征(注
5.)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的MUN5330DW1T1 / MUN5331DW1T1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的MUN5315DW1T1 / MUN5316DW1T1
MUN5332DW1T1/MUN5333DW1T1/MUN5334DW1T1
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0V, V
B
= 2.5V ,R
L
= 1.0千欧) MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5 V ,R
L
=1.0kΩ)
MUN5313DW1T1
符号
h
FE
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
80
80
V
CE ( SAT )
典型值
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
140
最大
0.25
单位
VDC
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
MUN5311dw–3/13