MUN5311W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MUN5311W
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内容描述：	双偏置电阻晶体管 [Dual Bias Resistor Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	13 页 / 662 K
品牌：	ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]

MUN5311DW1T1

器件标识和电阻值

设备

包

MUN5311DW1T1

MUN5312DW1T1

MUN5313DW1T1

MUN5314DW1T1

MUN5315DW1T1 （注3 ）

MUN5316DW1T1 （注3 ）

MUN5330DW1T1 （注3 ）

MUN5331DW1T1 （注3 ）

MUN5332DW1T1 （注3 ）

MUN5333DW1T1 （注3 ）

MUN5334DW1T1 （注3 ）

MUN5335DW1T1 （注3 ）

SOT–363

系列

记号

(K)

4.7

1.0

2.2

4.7

2.2

(K)

8 8

航运

3000 /磁带&卷轴

1.0

2.2

4.7

电气特性

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

和Q

- 减号为Q

（PNP）中省略）

特征

符号

民

典型值

最大

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

= 50 V，I

= 0)

CBO

–

100

集电极 - 发射极截止电流（V

= 50 V，I

= 0)

首席执行官

–

500

EBO

–

0.5

发射基截止电流

MUN5311DW1T1

–

0.2

= 6.0 V，I

= 0)

MUN5312DW1T1

–

0.1

MUN5313DW1T1

–

0.2

MUN5314DW1T1

–

0.9

MUN5315DW1T1

–

1.9

MUN5316DW1T1

–

4.3

MUN5330DW1T1

–

2.3

MUN5331DW1T1

–

1.5

MUN5332DW1T1

–

0.18

MUN5333DW1T1

–

0.13

MUN5334DW1T1

–

0.2

MUN5335DW1T1

集电极 - 基极击穿电压（I

=10

µA,

= 0)

（ BR ） CBO

–

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）。（我

= 2.0毫安，我

=0) V

（ BR ） CEO

–

3.新的电阻器组合。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

µs,

占空比< 2.0 ％

单位

NADC

MADC

VDC

MUN5311dw–2/13

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