16 bit 模数转换器
TM7705
此端输出。根据通讯寄存器中的寄存器选择位,移位寄存器可
容纳来自通讯寄存器、时钟寄存器或数据寄存器的信息
串行数据输入端。向片内的输入移位寄存器写入的串行数据由
此输入。根据通讯寄存器中的寄存器选择位,输入移位寄存器
中的数据被传送到设置寄存器、时钟寄存器或通讯寄存器
电源电压,+2.7V~+5.25V
14
DIN
15
16
VDD
GND
内部电路的地电位基准点
六、极限参数(TA = +25℃,除非另有说明)
DD 对 GND
V
-0.3V ~+7V
-0.3V ~VDD +0.3V
-0.3V ~VDD +0.3V
-0.3V ~VDD +0.3V
-0.3V ~VDD +0.3V
-40℃~+85℃
-65℃~+150℃
+150℃
模拟输入电压对 GND
基准输入电压对 GND
数字输入电压对 GND
数字输出电压对 GND
工作温度范围 (商业级,B )
储存温度范围
结温
功耗 (塑料 DIP 封装)
θJA 热阻
450mW
105℃/W
引脚温度 (焊接 ,10 秒)
功耗(塑料 SOIC 封装)
θJA 热阻
+260℃
450mW
75℃/W
引脚温度 (焊接 )
汽相 (60 秒)
红外线 (15 秒)
功耗 (SSOP 封装)
θJA 热阻
+215℃
+220℃
450mW
139℃/W
引脚温度(焊接)
汽相(60 秒)
红外线(15 秒)
抗 ESD
+215℃
+220℃
>4000V
注:强度超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏。这些仅仅是极限参数,
并不意味着在极限条件下或在任何其它超出推荐工作条件所示参数的情况下器
件能有效地工作。延长在极限参数条件下的工作时间会影响器件的可靠性。
七、电特性
(VDD=+3V 或+5V,REF IN(+)=+1.225V;REF IN(-)=GND,MCLK IN
=2.4576MHz,TA=T MIN~TMAX ,除非另有说明)。
Parameter
B Version1
Units Conditions/Comments
STATIC PERFORMANCE
Guaranteed by Design. Filter
No Missing Codes
16
Bits min
Notch < 60 Hz
©Titan Micro Electronics
www.titanmec.com
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