ESMT
交流测试负载和波形
M24D816512DA
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
1.8V (V
CC
)
14000
14000
7000
0.90
单位
Ω
Ω
Ω
V
开关特性在工作范围[ 9 ， 10 ， 11 ， 12 ]
参数
读周期
t
RC
[14]
t
CD
[15]
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
注意事项：
除三态参数之外的所有参数9.Test条件假设1 ns的音频/视频信号的转换时间，定时基准水平
V的
CC （典型值）。
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和
波形“部分。
10.At任何给定的温度和电压条件下吨
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和
t
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。所有低Z参数将具有30 pF的（3V）的负载电容来测量
11.t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
存储器12.内部写入时间是由重叠定义
WE
， CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
BHE
和/或
BLE
= V
IL
.
所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。数据输入
建立和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
13.High -Z和Low -Z参数的特点，并非100 ％测试。
14.如果无效的地址信号要比分钟短。吨
RC
被连续重复80微秒，该装置需要一个正常读出时序（叔
RC
)
或需要在每80微秒输入至少一次的待机状态。
15.Whenever CE1 =高或CE2 =低，
BHE
/
BLE
取非活动状态，就必须保持不活动状态为至少5纳秒。
读周期时间
芯片取消时间CE1 =高orCE2 =低，
BLE
/
BHE
高脉冲时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
描述
-55
分钟。
55
5
55
5
55
25
5
20
10
20
55
5
20
5
10
5
5
马克斯。
80000
分钟。
70
5
-70
马克斯。
80000
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
35
25
25
70
25
低CE1和CE2高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z [ 10 ， 11 ， 13 ]
OE高来高Z [ 10 ， 11 ， 13 ]
低CE1和CE2高后低Z [ 10 ， 11 ， 13 ]
CE1高或CE2低到高Z [ 10 ， 11 ， 13 ]
BLE
/
BHE
低到数据有效
BLE
/
BHE
低到低Z [ 10 ， 11 ， 13 ]
BLE
/
BHE
前高后低Z [ 10 ， 11 ， 13 ]
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
6/13
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
