ESMT
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导线，没有测试。 ）
储存温度...................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压
地电位。 ............................- 0.2V至V
CCmax
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态[ 5 ， 6 ， 7 ] ......................
−0.2V
到V
CCmax
+ 0.3V
直流输入电压[5 ，6，7 ] ....................
−0.2V
到V
CCmax
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................... 20毫安
M24D816512DA
静电放电电压........................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
−40°C
至+ 85°C
V
CC
1.7V至1.95V
直流电气特性（在工作范围内） [ 5,6,7 ]
-55
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
测试条件
分钟。
I
OH
=
−0.1
mA
V
CC
= 1.7V至1.95V
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.7V至1.95V
V
CC
= 1.7V至1.95V
V
CC
= 1.7V至1.95V
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB2
CE1
≥
V
CC
−0.2V
或CE2
≤
0.2V
V
IN
≥
V
CC
−
0.2V或V
IN
≤
0.2V,
F = 0，V
CC
= V
CCmax
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
2.7
V
CC
-
0.2
0.8*
V
CC
-0.2
-1
-1
20
3
32
典型值
.[4]
1.8
马克斯。
1.95
分钟。
1.7
V
CC
-
0.2
0.8*
V
CC
-0.2
-1
-1
18
3
32
-70
典型值。
[4]
1.8
单位
马克斯。
1.95
V
V
0.2
V
CC
+0.3V
0.2*
V
CC
+1
+1
25
5
40
V
V
V
µA
µA
mA
mA
µA
0.2
V
CC
+
0.3V
0.2*
V
CC
+1
+1
35
5
40
Capacitance[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
TA = 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热电阻[8]
参数
θJA
θJC
描述
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
BGA
56
11
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
5.V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
7.Overshoot和欠规范的特点，不是100 ％测试。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数8.Tested 。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
5/13
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
