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    M13S256328A 参数 Datasheet PDF下载

    M13S256328A图片预览
    型号： M13S256328A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×32位×4银行双倍数据速率SDRAM [2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 47 页 / 786 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M13S256328A的Datasheet PDF文件第10页  
    ESMT
    AC运行试验条件
    参数
    输入参考电压时钟（V
    REF
    )
    输入信号的最大峰值摆幅
    输入信号的最小转换速率
    输入电平（V
    IH
    /V
    IL
    )
    输入定时测量参考电平
    输出时序参考电平
    价值
    0.5*V
    DDQ
    1.5
    1.0
    V
    REF
    +0.35/V
    REF
    -0.35
    V
    REF
    V
    TT
    M13S256328A
    单位
    V
    V
    V / ns的
    V
    V
    V
    AC时序参数&规格
    (V
    DD
    = 2.3V~2.7V, V
    DDQ
    = 2.3V 〜 2.7V ，T
    A
    =0
    °
    C
    70
    °
    C
    ） （注）
    参数
    CL2
    符号
    -5
    民
    7.5
    t
    CK
    5.0
    5.0
    t
    AC
    t
    CH
    t
    CL
    t
    DQSCK
    t
    DQSS
    t
    DS
    t
    DH
    t
    DIPW
    t
    IS
    t
    IH
    t
    IPW
    t
    DQSH
    t
    DQSL
    t
    DSS
    t
    DSH
    t
    DQSQ
    t
    HZ
    t
    LZ
    -0.65
    0.45
    0.45
    -0.65
    0.85
    0.5
    0.5
    1.75
    1.0
    1.0
    2.2
    0.4
    0.4
    0.2
    0.2
    -
    -
    -0.7
    最大
    15
    10
    10
    +0.65
    0.55
    0.55
    +0.65
    1.15
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.6
    0.6
    -
    -
    0.4
    +0.7
    +0.7
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    t
    CK
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    ns
    ns
    ns
    时钟周期
    CL2.5
    CL3
    从CLK / CLK访问时间
    CLK高电平宽度
    CLK低电平宽度
    数据选通边缘到时钟边沿
    钟先上升DQS延迟边缘
    输入数据和DM的设置时间（ DQS ）
    数据输入和DM保持时间（以DQS）
    DQ和DM输入脉冲宽度（每个输入）
    输入建立时间
    输入保持时间
    控制和地址输入脉冲宽度
    DQS输入高电平脉冲宽度
    DQS输入低脉冲宽度
    DQS下降沿到CLK上升沿建立时间
    DQS下降沿从CLK上升沿保持时间
    数据选通的边缘，以输出数据边缘
    从数据输出高阻抗窗口
    CLK /
    CLK
    从数据输出低阻抗窗口
    CLK / CLK
    晶豪科科技有限公司
    出版日期：五月。 2007年
    修订： 1.2
    6/47

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