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M13S256328A 参数 Datasheet PDF下载

M13S256328A图片预览
型号: M13S256328A
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内容描述: 2M ×32位×4银行双倍数据速率SDRAM [2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 47 页 / 786 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
引脚说明
(M13S256328A)
引脚名称
功能
地址输入
- 行地址A0 〜 A11
- 列地址A0 〜 A7 , A9
A8 / AP :自动预充电
BA0 , BA1 :银行选择( 4组)
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
动力
双向数据选通。
DQS0对应于DQ0 〜 DQ7数据。
DQS1对应于DQ8 〜 DQ15数据。
DQS2对应于DQ16 〜 DQ23的数据。
DQS3对应于DQ24 〜 DQ31的数据。
引脚名称
M13S256328A
功能
A0~A11,
BA0,BA1
DM0~DM3
DQ面膜能在写周期。
DQ0~DQ31
RAS
CAS
WE
CLK , CLK
CKE
CS
V
DDQ
V
SSQ
V
REF
时钟输入
时钟使能
芯片选择
电源电压为GDQ
地面DQ
参考电压为SSTL
V
SS
V
DD
DQS0~DQS3
(为FBGA )
NC
无连接
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意:
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
待定
50
单位
V
V
V
°C
W
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐的操作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
晶豪科科技有限公司
出版日期:五月。 2007年
修订: 1.2
3/47