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M12L128168A-5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M12L128168A-5TIG图片预览
型号: M12L128168A-5TIG
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内容描述: 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 361 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
VERSION
参数
上校地址上校地址的延迟
有效数
输出数据
符号
-5
t
的CCD (分钟)
-6
1
2
1
M12L128168A
工作温度条件-40
°
C ~85
°
C
单位
-7
t
CK
ea
3
4
CAS延时= 3
CAS延时= 2
注:1个时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期的时间,然后需要的最短时间来确定
四舍五入到下一个较大整数。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件,使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断,自动预充电和读取突发停止。
5.新的命令,可给予吨
RFC
后自刷新退出。
6,最多八个连续自动刷新命令(与T
RFCMIN
)可以发布到任何给定的SDRAM ,以及
任何自动刷新命令和下一个自动刷新命令之间的最大绝对间隔
8x15.6
μ
s.)
AC特性
(交流操作条件,除非另有说明)
参数
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
符号
CLK周期时间
CLK为有效
输出延迟
输出数据
保持时间
CLK高pulsh宽度
CLK低pulsh宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
注意:
CAS延时= 3
CAS延时= 2
t
CC
5
10
-5
最大
1000
4.5
6
2
2
2
2
1.5
1
1
4.5
6
2.5
2.5
2.5
2.5
1.5
1
1
5.4
6
6
10
-6
最大
1000
5.4
6
2.5
2.5
2.5
2.5
1.5
1
1
5.4
6
7
10
-7
最大
1000
5.4
6
ns
1
单位
t
SAC
ns
1,2
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
3
3
3
3
2
-
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间小于1ns的时间更长。 ( TR / 2 - 0.5 ) NS应予以考虑。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果潮流& TF长于1ns的。短暂的时间补偿应该考虑。
即, [ (文+ TF )/ 2 - 1]纳秒应该被添加到该参数。
晶豪科科技有限公司
出版日期:十月2007年
修订: 1.2
6/43