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M12L128168A-5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M12L128168A-5TIG图片预览
型号: M12L128168A-5TIG
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内容描述: 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 361 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC运行试验条件
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V,T
A
= -40〜 85
°
C
)
参数
输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
2.4/0.4
1.4
TR / TF = 1/1
1.4
SEE图。 2
M12L128168A
工作温度条件-40
°
C ~85
°
C
单位
V
V
ns
V
3.3V
1200
产量
870
50pF
VTT = 1.4V
V
OH
(DC )= 2.4V时,我
OH
= -2毫安
V
OL
( DC )= 0.4V时,我
OL
= 2毫安
产量
Z0 =50
50
50pF
(图1 )直流输出负载电路
(图2 ) AC输出负载电路
经营AC参数
(交流工作条件,除非另有说明)
VERSION
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
@工作
@自动刷新
符号
-5
t
RRD (分钟)
t
RCD (分钟)
t
RP (分钟)
t
RAS (分钟)
t
RAS (最大)
t
RC (分钟)
t
RFC (分钟)
t
CDL (分钟)
t
RDL (分钟)
t
BDL (分钟)
t
REF (最大)
53
55
10
15
15
38
-6
12
18
18
40
100
58
60
1
2
1
64
63
70
-7
14
20
20
42
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ms
1
1,5
2
2
2
6
1
1
1
1
单位
行周期时间
最终数据以山坳。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
刷新周期( 4096行)
晶豪科科技有限公司
出版日期:十月2007年
修订: 1.2
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