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M11B416256A-30J 参数 Datasheet PDF下载

M11B416256A-30J图片预览
型号: M11B416256A-30J
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内容描述: 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 375 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EliteMT
注意事项:
M11B416256A
1.
2.
3.
4.
5.
6.
使芯片的刷新和地址计数器。
V
IH
(MIN)和V
IL
(MAX),是参考电平为
测量输入信号的定时。转换时间
V的测量
IH
和V
IL
.
除了满足过渡速率说明书中
V之间的所有输入信号必须中转
IH
和V
IL
IN A
单调的方式。
假设吨
RCD
& LT ;吨
RCD
(MAX)。如果T
RCD
大于
在此显示的最大推荐值
表t
RAC
将通过量增加了吨
RCD
超出显示的值。
假设吨
RCD
t
RCD
(最大)
If
CAS
为低电平时的下降沿
RAS
,数据输出
将保持来自前一个周期。要启动
一个新的循环,并清除数据输出缓冲器,
CAS
RAS
必须脉冲高。
回到V
IH
)是不确定的。
OE
高高的,
我们采取低后
CAS
变低,导致一晚
写(
OE
-controlled )周期。
12.那些参数是参照
CAS
领导
边缘初期写入周期和WE前沿
在晚写或读 - 修改 - 写周期。
13.在读周期,如果
OE
在低则采取高
CAS
变为高电平时, I / O云开放,如果
OE
永久
低,
a
or
读 - 修改 - 写操作是不可能的。
为200ps的初始暂停后开机需要
接着8
RAS
刷新周期(
RAS
唯一或
CBR )器件正常工作之前,是有保证的。该
RAS
周期唤醒,应重复任何
时间的T
REF
刷新的要求超出。
写命令的定义是我们要低。
晚写和读 - 修改 - 写周期必须
同时拥有TOFF2和T
OEH
MET (
OE
在高
写周期),以确保输出
缓冲区会在写入周期开放。
在I /在读周期,一旦吨O的开
OFF1
或T
OFF2
发生。
参照前面的
CAS
下降沿。
14.
7.
8.
9.
10.
11.
内的T操作
RCD
限制确保吨
RCD
(最大值)可以得到满足,T
RCD
(最大)被指定为一个
参考点而已;如果T
RCD
大于
特定网络编辑吨
RCD
(最大值)的限制,存取时间是受控
经t
CAC
.
内的T操作
拉德
限制确保吨
拉德
(最大)
可以得到满足。吨
拉德
(最大)被指定为参考
只点;如果T
拉德
大于指定吨
拉德
(最大值)的限制,存取时间为t控制
AA
.
要么吨
RCH
或T
RRH
必须满足一个读
周期。
t
OFF1
(最大)定义时间,当输出
实现了开路状态;它不是一个
参考V
OH
或V
OL
.
t
WCS
, t
RWD
, t
AWD
和T
CWD
限制性操作
参数
in
读 - 修改 - 写周期而已。如果T
WCS
t
WCS (分钟)
中,周期是一个早期的写周期和
该数据输出将在整个保持开路
整个循环。如果T
RWD
t
RWD (分钟)
, t
AWD
tAWD (分钟)
和T
CWD
t
CWD (分钟)
,周期是可读写和
该数据输出将包含从读出的数据
选定的单元格。如果上述两个条件是
满足时, I / O的状态(在存取时间和直到
CAS
RAS
or
OE
go
15.
16.
17.
18.
19.参考对后者
CAS
上升沿。
20.输出参数( I / O)为基准,以对应
CAS
输入, IO0 〜 7所
CASL
和IO8 〜 15所
现金
.
21.最后落
CAS
边第一个上升
CAS
边缘。
22.最近崛起
CAS
边缘到下一个周期的最后崛起
CAS
边缘。
23.最近崛起
CAS
边缘到第一个下降沿
CAS
边缘。
24.每个
CAS
必须满足最小脉冲宽度。
25.参考对后者
CAS
下降沿。
26.所有的IO通过控制
OE
不管
CASL
现金
.
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
6/15