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    M11B416256A-30J 参数 Datasheet PDF下载

    M11B416256A-30J图片预览
    型号： M11B416256A-30J
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 15 页 / 375 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M11B416256A-30J的Datasheet PDF文件第9页  
    EliteMT
    （续）
    参数
    READ命令设置时间
    读命令保持时间参考
    M11B416256A
    符号
    -25
    -28
    -30
    -35
    -40
    单位注
    最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
    t
    RCS
    t
    RCH
    t
    RRH
    t
    CLZ
    t
    OFF1
    t
    OFF2
    t
    WCS
    t
    WCH
    t
    WCR
    t
    WP
    t
    RWL
    t
    CWL
    t
    DS
    t
    DH
    t
    DHR
    t
    RWD
    t
    AWD
    t
    CWD
    t
    T
    t
    REF
    t
    RPC
    t
    企业社会责任
    t
    CHR
    t
    OEH
    t
    OES
    t
    OEHC
    t
    OEP
    t
    ORD
    t
    CLCH
    t
    COH
    t
    WHZ
    0
    0
    0
    3
    3
    15
    6
    0
    5
    22
    5
    7
    5
    0
    5
    22
    34
    21
    17
    1.5
    10
    5
    7
    4
    4
    2
    2
    0
    4
    3
    3
    7
    50
    8
    0
    0
    0
    3
    3
    15
    7
    0
    5
    24
    5
    7
    5
    0
    5
    24
    38
    25
    19
    1.5
    10
    5
    7
    4
    4
    2
    2
    0
    5
    3
    3
    7
    50
    8
    0
    0
    0
    3
    3
    15
    8
    0
    5
    26
    5
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    6
    0
    5
    26
    46
    31
    25
    1.5
    10
    10
    10
    4
    4
    2
    2
    0
    5
    3
    3
    7
    50
    8
    0
    0
    0
    3
    3
    15
    8
    0
    5
    30
    5
    9
    7
    0
    5
    30
    51
    34
    26
    2.5
    10
    10
    10
    4
    4
    2
    2
    0
    5
    3
    3
    7
    50
    8
    0
    0
    0
    3
    3
    15
    8
    0
    5
    34
    5
    10
    8
    0
    5
    34
    56
    36
    27
    2.5
    10
    10
    10
    5
    5
    2
    2
    0
    6
    3
    3
    7
    50
    8
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ms
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    15,18
    9,15,19
    9
    20
    10,17,2
    0
    17,26
    11,15,1
    8
    15,25
    15
    15
    15
    15,19
    12,20
    12,20
    11
    11
    11,18
    2,3
    CAS
    读命令保持时间参考
    RAS
    CAS
    到输出低-Z
    输出缓冲关断延迟从
    CAS
    or
    RAS
    输出缓冲关断，
    OE
    写命令设置时间
    写命令保持时间
    写命令保持时间（参考
    to
    RAS
    )
    WRITE命令的脉冲宽度
    写命令
    RAS
    交货时间
    写命令
    CAS
    交货时间
    数据的建立时间
    数据保持时间
    数据保持时间（参考
    RAS
    )
    RAS
    to
    WE
    延迟时间
    列地址为
    WE
    延迟时间
    CAS
    to
    WE
    延迟时间
    转换时间（上升或下降）
    刷新周期（ 512个周期）
    RAS
    to
    CAS
    预充电时间
    CAS
    建立时间（ CBR刷新）
    CAS
    保持时间（ CBR刷新）
    OE
    从保持时间
    WE
    中
    阅读模式 - 写周期
    1,18
    1,19
    16
    OE
    低
    CAS
    高建立时间
    OE
    从高保持时间
    CAS
    高
    OE
    预充电时间
    OE
    安装前
    RAS
    在隐
    刷新周期
    LAST
    CAS
    将低到第一
    CAS
    返回HIGH
    数据输出保持后
    CAS
    回国
    低
    输出禁用延迟从
    WE
    21
    精英存储科技有限公司
    出版日期
    :
    2004年2月
    调整
    :
    1.9
    5/15

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