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F49L040A-90T 参数 Datasheet PDF下载

F49L040A-90T图片预览
型号: F49L040A-90T
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内容描述: 4兆位( 512K ×8 )只有3V CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 391 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EFST
图16示出的算法和图15示出了
的时序图。此方法使用标准
微处理器总线周期时间。对于机构撤消,
所有未受保护的行业首先必须先受保护
第一部门撤消写周期。
F49L040A
当使用编程设备,此模式
需要V
ID
( 11.5 V至12.5 V)在地址引脚A9 。
而地址引脚A3,A2 , A1和A0必须尽可能
如表3所示。
为了验证扇区保护,所有必需的销得
根据需要在表3中,在编程设定
设备可能再读取相应的标识符
在DQ7 - DQ0代码。
要访问自动选择代码在系统中,主机
系统可以发出通过自动选择命令
命令寄存器,如表4所示。该方法
不需要V
ID
。请参阅“软件命令
定义“关于使用自动选择模式的详细信息。
自动选择模式
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证,
通过DQ7 - DQ0输出。此模式是主要
用于编程设备,自动
相匹配的装置,以与被编程的
相应的规划算法。然而,该
自动选择的代码,也可以在系统访问
通过命令寄存器。
7.2软件命令定义
写入特定的地址和数据的命令或
序列进入命令寄存器启动
设备的操作。表4规定的有效注册
命令序列。书写不正确的地址和
数据值或将它们写在不当序列
设备重置读取阵列数据。
所有地址锁存,下降沿
WE
or
CE
,以较迟者为准发生。所有的数据被锁存
的上升沿
WE
or
CE
,发生者为准
第一。参阅相应的时序图
交流特性部分。
表4. F49L040A软件定义的命令
命令
RESET ( 5 )
读(4)
节目
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除
暂停( 6 )
扇区擦除简历
(7)
自动选择
注意事项:
1, X =不关心
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址的部门。
2.除读命令,并自动选择命令,所有命令总线周期写操作。
3.地址位A18 - A16是不关心。
4.读阵列数据时无需命令周期。
5.该系统可以读出和程序在非擦除扇区,或在擦除进入自动选择模式下,当
挂起模式。擦除挂起命令仅在扇区擦除操作是有效的。
6.仅在擦除挂起模式恢复擦除命令是有效的。
公共汽车
周期
1
1
4
6
6
1
1
第一巴士
周期
ADDR
XXXh
RA
555H
555H
555H
XXXh
XXXh
数据
F0H
RD
AAH
AAH
AAH
B0H
30H
第二巴士
周期
ADDR
-
-
2AAH
2AAH
2AAH
-
-
数据
-
-
55H
55H
55H
-
-
3公交车
周期
ADDR
-
-
555H
555H
555H
-
-
数据
-
-
A0H
80H
80H
-
-
见表5 。
4公交车
周期
ADDR
-
-
PA
555H
555H
-
-
数据
-
-
PD
AAH
AAH
-
-
2AAH
2AAH
-
-
55H
55H
-
-
555H
SA
-
-
10H
30H
-
-
第五公交
周期
ADDR
-
-
数据
-
-
第六届巴士
周期
ADDR
-
-
数据
-
-
精英闪存存储技术公司
出版日期: 2005年4月
修订: 1.0
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