F49L040A-90T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	F49L040A-90T
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内容描述：	4兆位（ 512K ×8 ）只有3V CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	41 页 / 391 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

EFST

读取模式

从输出读阵列数据，系统必须

驱动

和

引脚V

是电源

控制和选择器件。

是输出控制

与门阵列的数据输出管脚。

应

保持在V

。内部状态机设置为

在器件上电时读取阵列数据，或之后

硬件复位。这将确保没有虚假变更

存储内容的电源期间发生

过渡。

没有命令，必须在此模式下，获得数组

数据。标准微处理器的读周期的断言

该器件地址输入产生的有效地址

上的设备的数据输出有效数据。该装置

保持启用，直到命令读取访问

寄存器的内容被改变。

请参阅“阅读命令”一节以获取更多信息。

请参阅AC读操作表9对时间

规格和图5的时序图。我

CC1

在DC特性表8代表活动

目前规范阵列读取数据。

F49L040A

自动休眠模式

自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件

能量消耗。该设备将自动启用

当地址保持不变，在这种模式下

为250ns 。自动睡眠模式是独立的

和

控制信号。标准地址

时序进入时提供的地址是新数据

改变了。而在睡眠模式下，输出数据被锁存

并始终可用的系统。我

CC4

在直流

特性表8表示自动休眠

模式电流规范。

输出禁止模式

与

处于逻辑高电平（V

），从输出端

该设备被禁用。这将导致输出管脚

在高阻抗状态

待机模式

当

在V举行

± 0.3V ，输入设备

CMOS待机模式。如果

在V举行

但内

Ⅴ的范围

± 0.3V ，该设备仍然会在

待机模式中，但是待机电流会较大。

如果设备的自动算法过程中取消选择

擦除或编程时，设备将活跃

电流I

CC2

直到操作完成。我

CC3

直流特性表8表示待机

目前的规范。

该设备需要接入标准时间（t

）的

在这两种待机模式下的读取访问权限，

它是前准备读取数据。

写模式

写一个命令或命令序列（其

包括编程数据到设备和擦除

的存储器扇区）时，系统必须驱动

和

到V

和

到V

。在“程序指令”一节

对编程数据的详细信息到设备使用

标准的命令序列。

擦除操作可以擦除一个扇区，多个部门，

或整个设备。表1表示的地址空间

每个部门占用。 A“扇区地址”由

所需的地址位来唯一地选择一个扇区。该

“软件定义的命令”一节有详细

擦除扇区或整个芯片，或暂停/恢复

擦除操作。

当系统写入自动选择命令

序，器件进入自动选择模式。该

然后，系统可以从内部读取自动选择码

寄存器（它是分开的存储器阵列）上

DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本

模式。请参阅自动选择模式，并自动选择

命令部分以获取更多信息。我

CC2

在直流

特性表8表示的有功电流

规格为写入模式。在“AC特性”

部分包含时序规格表10和时机

图写操作。

部门保护/取消保护模式

硬件部门保护功能禁用这两个

程序在任何扇区擦除操作。该

硬件部门撤消功能重新启用两个

在以前受保护的程序和擦除操作

部门。部门保护/撤消可以实现

通过编程设备A6引脚。

精英闪存存储技术公司

出版日期： 2005年4月

修订： 1.0

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