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F49B002UA-70N 参数 Datasheet PDF下载

F49B002UA-70N图片预览
型号: F49B002UA-70N
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内容描述: 2兆位( 256K ×8 )只有5V CMOS闪存 [2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 33 页 / 488 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EFST
自动选择模式
自动选择模式提供了制造商和
设备识别和部门保护验证,
通过DQ7 - DQ0输出。此模式是主要
用于编程设备,自动
相匹配的装置,以与被编程的
相应的规划算法。然而,该
自动选择的代码,也可以在系统访问
通过命令寄存器。
当使用编程设备,此模式
需要V
ID
( 11.5 V至12.5 V)在地址引脚A9 。
而地址引脚A3,A2 , A1和A0必须尽可能
如表3所示。
F49B002UA
为了验证扇区保护,所有必需的销得
根据需要在表3中,在编程设定
设备可能再读取相应的标识符
在DQ7 - DQ0代码。
要访问自动选择代码在系统中,主机
系统可以发出通过自动选择命令
命令寄存器,如表4所示。该方法
不需要V
ID
。请参阅“软件命令
定义“关于使用自动选择模式的详细信息。
7.2软件命令定义
写入特定的地址和数据的命令或
序列进入命令寄存器启动
设备的操作。表4规定的有效注册
命令序列。书写不正确的地址和
数据值或将它们写在不当序列
设备重置读取阵列数据。
所有地址锁存,下降沿
WE
or
CE
,以较迟者为准发生。所有的数据被锁存
的上升沿
WE
or
CE
,发生者为准
第一。参阅相应的时序图
交流特性部分。
表4. F49B002UA软件定义的命令
公共汽车
周期
1
4
6
6
6
1
3
第一巴士
周期
ADDR
RA
数据
RD
第二巴士
周期
ADDR
-
数据
-
3公交车
周期
ADDR
-
数据
-
4公交车
周期
ADDR
-
PA
数据
-
PD
第五公交
周期
ADDR
-
数据
-
第六届巴士
周期
ADDR
-
数据
-
命令
读(4)
节目
芯片擦除
扇区擦除
引导块锁
复位1 ( 5 )
复位2 ( 5 )
自动选择
注意事项:
1.
5555H AAH 2AAAH 55H 5555H A0H
5555H AAH 2AAAH 55H 80H 5555H 5555H AAH 2AAAH 55H 10H 5555H
5555H AAH 2AAAH 55H 80H 5555H 5555H AAH 2AAAH 55H
SA
30H
5555H AAH 2AAAH 55H 80H 5555H 5555H AAH 2AAAH 55H 40H 5555H
XXXh
F0H
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5555H AAH 2AAAH 55H 5555H F0H
见表5 。
X =无关
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址的部门。
2.除读命令,并自动选择命令,所有命令总线周期写操作。
3.地址位A17 - A16是不关心。
4.读阵列数据时无需命令周期。
5. 2复位命令序列已经完全相同的效果,二设置,以满足
差公司的要求和范围的应用。
精英闪存存储技术公司
出版日期: 2006年9月
修订: 1.4
6/33