F49B002UA-70N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	F49B002UA-70N
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内容描述：	2兆位（ 256K ×8 ）只有5V CMOS闪存 [2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	33 页 / 488 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

EFST

读取模式

从输出读阵列数据，系统必须

驱动

和

引脚V

是电源

控制和选择器件。

是输出控制

与门阵列的数据输出管脚。

应

保持在V

。内部状态机设置为

在器件上电时读取阵列数据，或之后

硬件复位。这将确保没有虚假变更

存储内容的电源期间发生

过渡。

没有命令，必须在此模式下，获得数组

数据。标准微处理器的读周期的断言

该器件地址输入产生的有效地址

上的设备的数据输出有效数据。该装置

保持启用，直到命令读取访问

寄存器的内容被改变。

请参阅“阅读命令”一节以获取更多信息。

请参阅AC读操作表9对时间

规格和图5的时序图。我

CC1

在DC特性表8代表活动

目前规范阵列读取数据。

F49B002UA

重置设备

reset命令将设备返回到读取模式。

这是读取设备后一个必要的步骤或

制造商ID 。注意：在这种情况下，如果VID是

从A9引脚去掉，设备会自动

返回到读模式并明确不是必需的。

引导块找

为了使任何系统内核代码中的安全启动

块，所述F49B002UA提供了一个命令，锁定

引导块，防止任何意外删除或

重新编程。命令序列相似

除了最后一个周期，芯片擦除序列，

其中， 40H必须写入DQ0 〜 DQ7 ，而不是

10H 。引导块是一个可以是唯一的块

这种方式锁定。

是否引导块已被锁定可以是

由表4中所示的指令序列进行检测。

此命令序列上DQ0如果返回“ 1 ”

引导块被锁定;一个“0”，如果引导块具有不

被锁定，它是开放的擦除和

编程。

写模式

写一个命令或命令序列（其

包括编程数据到设备和擦除

的存储器扇区）时，系统必须驱动

和

到V

和

到V

。在“程序指令”一节

对编程数据的详细信息到设备使用

标准的命令序列。

擦除操作可以擦除一个扇区或整个

装置。表1表示的地址空间中的每个

界占有。 A“扇区地址”由地址

需要唯一地选择一个扇区位。 “软件

命令定义“部分，对擦除细节

扇区或整个芯片。

当系统写入自动选择命令

序，器件进入自动选择模式。该

然后，系统可以从内部读取自动选择码

寄存器（它是分开的存储器阵列）上

DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本

模式。请参阅自动选择模式，并自动选择

命令部分以获取更多信息。我

CC2

在直流

特性表8表示的有功电流

规格为写入模式。在“AC特性”

部分包含时序规格表10和时机

图写操作。

输出禁止模式

与

处于逻辑高电平（V

），从输出端

该设备被禁用。这将导致输出管脚

在高阻抗状态

待机模式

当

在V举行

± 0.3V ，输入设备

CMOS待机模式。如果

在V举行

但内

Ⅴ的范围

± 0.3V ，该设备仍然会在

待机模式中，但是待机电流会较大。

如果设备的自动算法过程中取消选择

擦除或编程时，设备将活跃

电流I

CC2

直到操作完成。我

CC3

直流特性表8表示待机

目前的规范。

该设备需要接入标准时间（t

）的

在这两种待机模式下的读取访问权限，

它是前准备读取数据。

精英闪存存储技术公司

出版日期： 2006年9月

修订： 1.4

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