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F25L04UA-100PG 参数 Datasheet PDF下载

F25L04UA-100PG图片预览
型号: F25L04UA-100PG
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内容描述: 3V只有4兆位串行闪存 [3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 25 页 / 271 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
部门结构
F25L04UA
表1 : F25L04UA扇区地址表
符号
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
扇区大小
(千字节)
8KB
4KB
4KB
16KB
32KB
64KB
64KB
64KB
64KB
64KB
64KB
64KB
地址范围
7E000H - 7FFFFH
7D000h - 7DFFFh
7C000h - 7CFFFh
78000h - 7BFFFh
70000h - 77FFFh
60000H 〜 6FFFFh
50000H 〜 5FFFFh
40000H 〜 4FFFFh
30000H 〜 3FFFFH
20000H 〜 2FFFFh
10000H 〜 1FFFFH
00000H 〜地址0FFFFh
扇区地址
A18
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
A17
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
A16
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
A15
1
1
1
1
0
X
X
X
X
X
X
X
A14
1
1
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
1
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
表2 : F25L04UA块保护表
防护等级
0
1 ( 1/8存储器阵列)
2 ( 1/4存储器阵列)
3 (所有存储阵列)
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
受保护的存储区
70000h -7FFFFh
60000H -7FFFFH
00000H -7FFFFH
块保护( BP1 , BP0 )
块保护( BP1 , BP0 )位定义的大小
存储器区域,如在表2中限定为软件保护
对任何存储器写(编程或擦除)操作。该
写状态寄存器( WRSR )指令用于编程
BP1和BP0位,只要
WP
是高还是
块保护-看( BPL )位为0芯片擦除只能是
如果执行块保护位均为0。上电后, BP1
和BP0被设置为1 。
块保护锁断( BPL )
WP
引脚驱动为低电平(V
IL
) ,使块保护
-lock -向下( BPL )位。当BPL被设置为1时,它可以防止任何
进一步改变的BPL , BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平(V
IH
) , BPL位没有任何作用,它的值是
“不关心” 。上电后, BPL位复位为0 。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年1月
修改:
1.2
3/25