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    M52S128168A-7.5BG 参数 Datasheet PDF下载

    M52S128168A-7.5BG图片预览
    型号： M52S128168A-7.5BG
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    内容描述： 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 47 页 / 1192 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    Preliminary  
    M52S128168A  
    Write interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page  
    *Note : 1. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell. It is defined by  
    AC parameter of tRDL.  
    DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.  
    DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input  
    data after Row precharge cycle will be masked internally.  
    2. Burst stop is valid at every burst length.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: May. 2007  
    Revision: 1.0 41/47  

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