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    M52S128168A-7.5BG 参数 Datasheet PDF下载

    M52S128168A-7.5BG图片预览
    型号： M52S128168A-7.5BG
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    内容描述： 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 47 页 / 1192 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    Preliminary  
    M52S128168A  
    Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page  
    *Note : 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.  
    Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1,2 on them.  
    But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.  
    Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.  
    2. Burst stop is valid at every burst length.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: May. 2007  
    Revision: 1.0 40/47  

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