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    M52S128168A-7.5BG 参数 Datasheet PDF下载

    M52S128168A-7.5BG图片预览
    型号： M52S128168A-7.5BG
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    内容描述： 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 47 页 / 1192 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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    ESMT  
    Preliminary  
    Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4  
    M52S128168A  
    *Note :  
    1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.  
    2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency-1] number of valid output data is  
    available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z (tSHZ) after the clock.  
    3. Output will be Hi-Z after the end of burst. (1,2,4,8 & Full page bit burst)  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: May. 2007  
    Revision: 1.0 33/47  

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