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M52D32162A-7BG 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	M52D32162A-7BG
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内容描述：	1米x 16Bit的X 2Banks手机同步DRAM [1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路动态存储器手机
文件页数/大小：	32 页 / 808 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

M52D32162A

Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

1 0

11

1 2

1 3

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1 5

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1 9

CLOCK

CKE

HIGH

tRRD

C S

R A S

CAS

ADDR

RAc

CAa

CBb

RAa

CAc

RBb

BA

RAa

RAc

RBb

A10/AP

CL=2

*Note1

t

CDL

QAa2 QAa3

DBb1

QAa1

QAa0

DBb0

DBb2

QAc0

QAa0

DBb3

QAc1

QAc2

DQ

QAa1

QAa2

DBb2 DBb3

QAc0 QAc1

CL=3

WE

QAa3

DBb0 DBb1

DQM

Write

(B-Bank)

Read

(A-Bank)

Read

(A-Bank)

Precharge

(A-Bank)

Row Active

(A-Bank)

Row Active

(A-Bank)

Row Active

(B-Bank)

: D o n ' t C a r e

*Note: 1.t^CDLshould be met to complete write.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Jul. 2009

Revision : 1.6 18/32

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