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    M52D128168A-10BIG 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-10BIG图片预览
    型号： M52D128168A-10BIG
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    内容描述： 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 47 页 / 1134 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第38页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第39页  
    ESMT  
    M52D128168A  
    Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
    Page Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4  
    *Note : 1. To interrupt burst write by Row precharge , DQM should be asserted to mask invalid input data.  
    2. To interrupt burst write by Row precharge , both the write and the precharge banks must be the same.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Sep. 2008  
    Revision: 1.0 35/47  

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