欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    M52D128168A-7BG2E 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-7BG2E图片预览
    型号： M52D128168A-7BG2E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54]
    分类和应用： 动态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 47 页 / 1168 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M52D128168A-7BG2E的Datasheet PDF文件第37页  
    ESMT  
    M52D128168A (2E)  
    Page Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4  
    Note: 1. To Write data before burst read ends. DQM should be asserted three cycle prior to write command to avoid bus  
    contention.  
    2. Row precharge will interrupt writing. Last data input, tRDL before row precharge, will be written.  
    3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst.  
    Input data after Row precharge cycle will be masked internally.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Aug. 2012  
    Revision: 1.0 33/47  

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6
     复制成功！